تحييز الترانزستور 

سوف تقصر المناقشة على ترانزستور الوصلة p-n-p أما بالنسبة للترانزستور n-p-n فينطبق عليه نفس القول بعد تبديل دور كل من الإلكترونات والثقوب وكذلك تبديل إشارة الجهد اللازم للتحييز. وهكذا فإنه يمكن إعتبار أن ترانزستور الوصلة p-n-p مكافئاً لثنائي وصلة p-n يتبعه ثنائي آخر n-p (شكل 1) وذلك لإمكان إستخدام نفس النظريات والعلاقات الخاصة ثنائي الوصلة. لذا فإنه يلزم إستخدام منبعي جهد 

الشكل (1)

لتحييز الترانزستور. فإذا كان جهد المنبعين مساوياً للصغر يحدث الإتزان الديناميكي في كل من ملتق الباعث - قاعدة وملتقى القاعدة — مجمع ، وتكون التيارات المارة عبر هذين الملتقيين مساوية للصفر. وبالتالي تكون تيارات كل من الباعث والقاعدة والمجمع مساوية للصفر. وعند إستخدام الترانزستور كعنصر في الدارات الإلكترونية ، يكون تحيز ملتق الباعث --  قاعدة تحييزاً مباشراً في حين يحيز ملتق لمجمع قاعدة تحييزاً عكسياً كالمبين في (شكل 1) ويقال في هذه الحالة إن الترانزستور محيز في المنطقة النشطة .