ترانزستور الأثر المجالي ذو البوابة المعزولة

المؤلف:  د/محمد فاروق أحمد و د/محمد خضر كاتب

المصدر:  أسس الإلكترونيات

الجزء والصفحة:  303

25-9-2021

2222

ترانزستور الأثر المجالي ذو البوابة المعزولة

يعرف هذا الترانزستور بإسم ترانزستور الأثر المجالي ذي التركيب معدن-أكسيد- سليكون. ويتميز هذا الترانزستور بإستخدام بوابة معدنية (أي من مادة جيدة التوصيل). وتعزل البوابة عن القناة بواسطة طبقة رقيقة من أكسيد السليكون (مادة عازلة). وتقوم البوابة كذلك بالتحكم في المقطع العرضي للقناة وبالتالي في تيار المصب.

ويبين شكل (1) ترانزستور ذا بوابة معزولة بقناة ثقبية التوصيل. ويتكون هذا الترانزستور من شريحة من مادة إلكترونية التوصيل نسبة تركيز الشوائب فيها قليلة. وتوجد في هذه الشريحة منطقتان ثقبيتا التوصيل ⁺P نسبة تركيز الشوائب فيه عالية جدا. وتعمل إحدى هاتين المنطقتين كمنبع والأخرى كمصب. وتفصل بين المنطقتين مسافة تبلغ حوالي 10 — 20 ميكرومتر. وتغطى المادة شبه الموصلة بطبقة رفيعة عازلة من ثاني أكسيد السليكون (C_iO₂) يبلغ سمكها حوالي 1000 — 2000 إنجستروم. وتعمل في المادة العازلة فتحتان لعمل التوصيلات المعدنية لكل من المنبع والمصب. ثم تغطى الطبقة الأكسيدية بطبقة معدنية تعمل كبوابة. وتبلغ المساحة السطحية لهذا الزاتزستور حوالي 2 مم² أو أقل. وهكذا يلاحظ أن البوابة المعدنية معزولة عن القناة بطبقة أكسيدية عازلة ومكونة مع القناة مكثف ذي لوحين متوازيين .