المرجع الالكتروني للمعلوماتية
المرجع الألكتروني للمعلوماتية

علم الفيزياء
عدد المواضيع في هذا القسم 11580 موضوعاً
الفيزياء الكلاسيكية
الفيزياء الحديثة
الفيزياء والعلوم الأخرى
مواضيع عامة في الفيزياء

Untitled Document
أبحث عن شيء أخر المرجع الالكتروني للمعلوماتية
من هم المحسنين؟
2024-11-23
ما هي المغفرة؟
2024-11-23
{ليس لك من الامر شيء}
2024-11-23
سبب غزوة أحد
2024-11-23
خير أئمة
2024-11-23
يجوز ان يشترك في الاضحية اكثر من واحد
2024-11-23


THE HALL EFFECT  
  
1782   02:05 مساءً   date: 20-5-2017
Author : Donald A. Neamen
Book or Source : Semiconductor Physics and Devices
Page and Part : p 177


Read More
Date: 20-5-2017 1101
Date: 18-9-2020 1155
Date: 8-5-2017 894

THE HALL EFFECT

The Hall effect is a consequence of the forces that are exerted on moving charges by electric and magnetic fields. The Hall effect is used to distinguish whether a semiconductor is n type or p type and to measure the majority carrier concentration and majority carrier mobility. The Hall effect device, as discussed in this section, is used to experimentally measure semiconductor parameters. However, it is also used extensively in engineering applications as a magnetic probe and in other circuit applications.

Figure 1.1 Geometry for measuring the Hall effect.

The force on a particle having a charge q and moving in a magnetic field is given by

(1)

where the cross product is taken between velocity and magnetic field so that the force vector is perpendicular to both the velocity and magnetic field.

Figure 1.1 illustrates the Hall effect. A semiconductor with a current Ix placed in a magnetic field perpendicular to the current. In this case, the magnetic field is in the z direction. Electrons and holes flowing in the semiconductor will experience a force as indicated in the figure. The force on both electrons and holes is in the (-y) direction. In a p-type semiconductor (p0 > n0), there will be a buildup of positive charge on the y = 0 surface of the semiconductor and. in an n-type semiconductor (n0 > P0), there will be a buildup of negative charge on the y = 0 surface. This net charge induces an electric field in the y-direction as shown in the figure. In steady state, the magnetic held force will he exactly balanced by the induced electric field force. This balance may be written as

(2a)

which becomes

(2b)

The induced electric field in the y-direction is called the Hall field. The Hall field produces a voltage across the semiconductor which is called the Hull voltage. We can write

(3)

The hole mobility is then given by

(4)

Similarly for an n-type semiconductor, the low-field electron mobility is determine from

(5)




هو مجموعة نظريات فيزيائية ظهرت في القرن العشرين، الهدف منها تفسير عدة ظواهر تختص بالجسيمات والذرة ، وقد قامت هذه النظريات بدمج الخاصية الموجية بالخاصية الجسيمية، مكونة ما يعرف بازدواجية الموجة والجسيم. ونظرا لأهميّة الكم في بناء ميكانيكا الكم ، يعود سبب تسميتها ، وهو ما يعرف بأنه مصطلح فيزيائي ، استخدم لوصف الكمية الأصغر من الطاقة التي يمكن أن يتم تبادلها فيما بين الجسيمات.



جاءت تسمية كلمة ليزر LASER من الأحرف الأولى لفكرة عمل الليزر والمتمثلة في الجملة التالية: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation وتعني تضخيم الضوء Light Amplification بواسطة الانبعاث المحفز Stimulated Emission للإشعاع الكهرومغناطيسي.Radiation وقد تنبأ بوجود الليزر العالم البرت انشتاين في 1917 حيث وضع الأساس النظري لعملية الانبعاث المحفز .stimulated emission



الفيزياء النووية هي أحد أقسام علم الفيزياء الذي يهتم بدراسة نواة الذرة التي تحوي البروتونات والنيوترونات والترابط فيما بينهما, بالإضافة إلى تفسير وتصنيف خصائص النواة.يظن الكثير أن الفيزياء النووية ظهرت مع بداية الفيزياء الحديثة ولكن في الحقيقة أنها ظهرت منذ اكتشاف الذرة و لكنها بدأت تتضح أكثر مع بداية ظهور عصر الفيزياء الحديثة. أصبحت الفيزياء النووية في هذه الأيام ضرورة من ضروريات العالم المتطور.