المكونات الأساسية للترانزستور

 يرتبط الترانزستور مع الثنائي البلوري بعلاقة وثيقة ويشابهه في كثير من التطبيقات الا ان الفرق الرئيسي بين الثنائي والترانزستور هو ان هذا الاخير يتكون من وصلتين. متعاكستين بدلا من واحدة. وعليه فان الترانزستور يتكون من بلورة واحدة من شبه موصل ( سيلكون اوجرمانيوم ) بثلاث مناطق يكون ترتيبها اما على هيئة NPN اوPNP-انظر الشكل (1).

الشكل (1): مكونات الترانزستور

لتجنب الارباك سنركز اولا على الترانزستورمن نوع NPN اخذين بنظر الاعتباران الترانزستور PNP هو المتبمم he complement؛ للترانزستور NPN وهذا يعني ان اتجاه التيارات وقطبية الجهود في الترانزستور PNP هي عكس التيارات والجهود في الترانزستور NPN.

في الشكل (1 أ) تسمى منطقة الترانزستور التي تقع على اليسار بالباعث ويكون منسوب تطعيمه بالشوائب عاليا ويقوم بحقن القاعدة- المنطقة الوسطى - بحاملاته الاغلبية (الالكترونادت) وعليه فانه يفترض والحالة. هذه . ان يكون جهد انحيازة اماميا. اما القاعدة base وهي موجبة هنا . فيجب اان تكون بسمك اقل (عدة ميكرونات) ومنسوب تطعيم اخف وهذا شرط اساسي لعدمل الترانزستور . تقوم القاعدة بتمرير معظم الالكترونات المحقونة الى منطقة المجمع ويتراوح تطعيم المجمع بين التطعيم الغزير للباعث وبين تطعيم القاعدة الخفيف ويسمى بالمجمع لانه يلتقط او يجمع الالكنرونات من القاعدة . يكون جهد المجمع – عند ربطه في الدائرة-عكسيا وعليه فان مقاومته تكون كبيرة ويكون الجمع هو الاكبر يين المناطق الثلاث لآن عليه ان يبدد من الحرارة ( I²R) اكثر مما يبدده الباعث او المقاومة .

مواضيع ذات صلة

UHF Reception استقبال UHF

ألعاب كهربائية أم مختبرات مصغّرة؟ الفيزياء خلف الووكي توكي

مساحة العمل الآمنة Safe Operating Area

محددات الغلق Fold-back Limiting

زيادة الانتقائية للدوائر ذات الإخماد الخارجي : Increasing the selectivity of Externally Quenched Circuits

تكوين وصلة pn-Junction) pn)

الآصرة التساهمية Covalent bond

الانبعاث الإلكتروني

وصلة pn في حالة الانحياز

مقوم نصف الموجة (Half-Wave Rectifier)

الموضوع معادلة ثنائي أشباه الموصلات

مضاعف فولتية نوع الموجة الكاملة Full-wave Voltage Doubler